长鑫存储技术申请半导体结构及其制备方法专利，改善位线与相邻的导电结构之间的寄生电容 金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119255596 A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本公开实施例涉及... 花花2025-01-098 阅读0 评论
