台积电试产2nm工艺：效果优于预期，良品率超过60% 由于三星在3nm制程节点率先使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管后，一直被良品率问题困扰，不少人担心台积电（TSMC）在2nm制程节点引入新的晶体管架构也会面临相同的困境。不过随着2nm... 花花2024-12-0719 阅读0 评论
