通威微电子申请降低碳化硅边缘应力的生长组件及生长装置专利，提升生长品质

金融界2025年1月30日消息，国家知识产权局信息显示，通威微电子有限公司申请一项名为“一种降低碳化硅边缘应力的生长组件及生长装置”的专利，公开号 CN 119372770 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种降低碳化硅边缘应力的生长组件及生长装置，涉及碳化硅晶体制备领域。该生长组件包括石墨筒、多个伸缩组件及多个石墨板，多个伸缩组件分别与石墨筒连接，多个石墨板在石墨筒的内部依次周向排布，并与多个伸缩组件一一对应连接，多个伸缩组件用于驱动多个石墨板聚拢围成引导碳化硅晶体生长的生长通道，还用于在引导碳化硅晶体生长结束时，驱动多个石墨板远离碳化硅晶体运动。本发明提供的降低碳化硅边缘应力的生长组件既能够引导碳化硅晶体生长又能够在生长结束时降低碳化硅晶体的边缘应力，从而提升生长品质。

天眼查资料显示，通威微电子有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本85000万人民币，实缴资本16830万人民币。通过天眼查大数据分析，通威微电子有限公司参与招投标项目14次，专利信息249条，此外企业还拥有行政许可12个。