台积电试产2nm工艺：效果优于预期，良品率超过60%

由于三星在3nm制程节点率先使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管后，一直被良品率问题困扰，不少人担心台积电（TSMC）在2nm制程节点引入新的晶体管架构也会面临相同的困境。不过随着2nm工艺量产工作的推进，台积电似乎变得越来越有信心。

据Wccftech报道，台积电已经对2nm工艺进行了试产，良品率超过了60%。起步阶段就有这么高的良品率，效果超出了大家的预期，而且还要很大的上升空间，台积电可能会以更快的速度完成挑战，将良品率提升至70%以上，为2nm工艺大规模量产留出足够的时间。

台积电董事长兼首席执行官魏哲家在今年10月时曾表示，未来五年内台积电有望实现连续、健康的增长，客户对于2nm的询问多于3nm，看起来更受客户的欢迎。2nm不但能复制3nm的成功，甚至有超越的势头。

为了应对市场对2nm工艺技术的强劲需求，台积电持续对该制程节点进行投资，不但加快了2nm产线的建设，并进一步扩大了产能规划。预计台积电2025年资本支出将再次飙升，达到340亿至380亿美元之间，有机会超过2022年创造的362.9亿美元峰值。

台积电计划N2工艺于2025年下半年进入量产阶段，客户最快在2026年前就能收到首批采用N2工艺制造的芯片，首个客户预计是苹果。