长鑫存储技术申请半导体结构及其制备方法专利，改善位线与相邻的导电结构之间的寄生电容

金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119255596 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，所述基底上具有间隔设置的多个位线；间隔结构，所述间隔结构位于所述基底表面，所述间隔结构位于所述位线之间，所述间隔结构位于每一所述位线的侧面；所述间隔结构包括第一介质层、第二介质层以及第三介质层，所述第一介质层位于所述位线的侧面，所述第二介质层位于所述第一介质层与所述第三介质层之间，所述第一介质层的材料的相对介电常数小于所述第三介质层的材料的相对介电常数。本公开实施例提供的半导体结构及其制备方法至少可以改善位线与相邻的导电结构之间的寄生电容。

天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币，实缴资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目376次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可45个。